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碳化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件在半導體制造、新能源等高端裝備領域的需求日益增長。然而,碳化硅陶瓷因極高的硬度和顯著的脆性,使其難以通過傳統(tǒng)加工方法制造復雜結(jié)構(gòu)件,這一技術瓶頸制約了其在高端裝備中的應用。因此,3D打印技術成為突破碳化硅陶瓷制造瓶頸的關鍵途徑。目前,3D打印方法制備的碳化硅陶瓷主要面向缺陷容忍度較高的反應燒結(jié)碳化硅陶瓷,但反應燒結(jié)碳化硅陶瓷中通常存在>30vol%的殘余游離硅,硅熔點低于1410℃,導致其高溫性能受限,進而限制了3D打印碳化硅陶瓷在極端服役環(huán)境下的應用場景。
針對上述問題,中國科學院上海硅酸鹽研究所研究團隊,提出了材料擠出(MEX)打印結(jié)合前驅(qū)體滲透裂解(PIP)與常壓固相燒結(jié)的復合工藝路線。常壓固相燒結(jié)路線可較好地避免硅相含量過多的問題,并提高材料在極端環(huán)境下的使用溫度。但3D打印常壓燒結(jié)碳化硅陶瓷中有機粘結(jié)劑含量高達40vol%至50vol%,燒結(jié)形成的孔隙會使材料收縮率超過20%,進而導致尺寸精度失控,使材料開裂。對此,團隊提出了在3D打印多孔坯體中進行聚碳硅烷(PCS)前驅(qū)體的真空浸漬裂解,使其在1300℃下轉(zhuǎn)化為原位納米碳化硅顆粒填充孔隙,并構(gòu)建內(nèi)部微觀支撐骨架。為解決坯體強度低的問題,團隊進一步引入預燒結(jié)處理工藝,在增強坯體強度的同時保持適量開孔結(jié)構(gòu),以實現(xiàn)PCS高效滲透與缺陷控制。 該工藝實現(xiàn)了雙重突破,即一方面在燒結(jié)過程中避免了游離硅相的生成,使材料具備優(yōu)異的高溫力學性能;另一方面通過PIP過程中形成的碳化硅骨架,有效抑制了燒結(jié)收縮,并將線性收縮率從21.71%降低至6.38%。研究顯示,制備的碳化硅陶瓷密度可達3.17g·cm?³,抗彎強度為359MPa,彈性模量為381GPa,熱導率達165.76W·m?¹·K?¹,且在1500℃高溫環(huán)境下仍能保持357MPa的抗彎強度,為極端環(huán)境下使用復雜結(jié)構(gòu)碳化硅陶瓷部件的精密制造提供了技術支撐。 近日,相關研究成果發(fā)表在Additive Manufacturing上。研究工作得到科學技術部的支持。
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